SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 착공

[뉴스포스트=최종원 기자] 지난 21일 용인시의 건축 허가가 승인됨에 따라, 용인 반도체 클러스터에 건설되는 SK하이닉스 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만m2 (약 126만 평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만 평, 소부장 업체 협력화단지 14만 평, 인프라부지 12만 평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지이다.

이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 첫 번째 팹은 '27년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.